返回顶部

MOS(场效应管)/IRG4PC40S
商品型号:IRG4PC40S PDF数据手册)

参考起售量(pcs)参考价格
1~9件¥20.57/件
10~29件¥13.57/件
30~99件¥12.03/件
100~499件¥10.57/件
500~999件¥10.08/件
1000 件以上¥9.69/件
品牌:IR
封装:TO-247(AC)
货期:1-2天
已售出: 4785件
库存数量:0 件(可订货)

  • 商品名称:IRG4PC40S
  • 商品品牌:IR
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    IRG4PC40S

  • 封装规格:TO-247(AC)
  • 商品编号:B1061911
  • 商?#20998;?#37327;:0.001000kg
IRG4PC40S中文资料
IRG4PC40S中文资料第7页精选内容: IGBT结构 IR G 4乙 C 4 0小号 D二极管国际整流器速度指示符 IGBT S标准代修改 F快电压指示器模具尺寸 M SHORT CICUIT快速包装标志 C 600V E 800V U ULTRAFAST B T0220 F 900V G 1000V K短路超快速 P T0247 H 1200V基本的IGBT结构绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的硅横截面,实际上,称为收集器的终端是PNP的发射器.尽管如此与功率MOSFET的横截面相似,两者工作晶体管根本不同,IGBT是少数载流子器件.除了P +衬?#36164;?#38469;上与功率MOSFET的衬底相同之外,两个器件共享相似的多晶硅栅极结构和具有N +的P阱来源联系人.在这两种器件中,P阱下的N型材料?#38469;?#23610;寸的以保持器件的全电压额定值.然而,尽管有许多相似之处,但他的IGBT的物理运行是更接近于双极晶体管的电流而不是功率MOSFET的电流.这是由于负责少数载流子注入的P +衬底进入N注册和由此导致的电导?#23454;?#21046;,一个显着的份额的传导损耗发生在N区,500V器件中通常为70%.零件编号本身包含编码形式的IGBT的关键特性.一个下面包含的术语解释. IGBT / COPACK季度可靠性报告第7页,共35页
河南泳坛夺金近500期
中国体彩网11选5河北 新疆时时彩四星和值尾 快速赛车开奖app 吉林快三官网开奖结果 围棋对弈 北京福彩中心 15选5走势图 百人牛牛稳赚技巧 彩票开奖25选72月12 湖北武汉快三开奖结果及走势 nba赛事 500万时时彩开奖视频 马会一尾中特 白小姐一波中特网址 体育彩票福建时时彩