返回顶部

集成电路/M28F201-90XN3TR
商品型号:M28F201-90XN3TR

参考起售量(pcs)参考价格
1 个以上¥95/个
品牌:ST(意法半导体)
封装:-
货期:1天
已售出: 0个
库存数量:0 个(可订货)

  • 商品名称:M28F201-90XN3TR
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    M28F201-90XN3TR

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181419649
  • 商?#20998;?#37327;:0.000100kg
M28F201-90XN3TR中文资料
M28F201-90XN3TR中文资料第10页精选内容:符号 Alt键参数 M28F201单元 -70 -90 V CC = 5V ±10%V CC = 5V±10% EPROM接口 EPROM接口敏马克斯敏马克斯 VPHEL V PP 高电平至芯片低电平 1 1微秒 t VPHWL V PP 高电平写入使能低电平 1 1微秒 WHWH3 吨 WC写周期时间(W控制) 70 90 NS t EHEH3 吨 WC写周期时间(E控制) 70 90 NS AVWL t AS地址有效写入启用低 0 0 NS AVEL地址有效到芯片使能低 0 0 NS t WLAX 啊写使能低到地址转换三十 45 NS ELAX芯片使能低电平到地址转换三十 45 NS ELWL t CS芯片使能低写入使能低 0 0 NS t WLEL写使能低到芯片使能低 0 0 NS GHWL输出使能高写入使能低 0 0微秒 GHEL输出使能高到芯片使能低电平 0 0微秒 t DVWH t DS输入有效写入使能高三十 45 NS DVEH输入有效到芯片使能高三十 45 NS WLWH t WP写入使能低写入使能高(写入脉冲)三十 45 NS t ELEH芯片使能低电平至芯片使能高电平(写入脉冲) 50 60 NS WHDX 卫生署将高电平写入输入转换 10 10 NS t EHDX芯片使能高到输入转换 10 10 NS t WHWH1程序运行时间(W控制) 10 10微秒 t EHEH1程序运行时间(E控制) 10 10微秒 WHWH2擦除操作?#20013;?#26102;间(W控制) 9.5 9.5女士 t EHEH2擦除操作?#20013;?#26102;间(E控制) 9.5 9.5女士 t WHEH t CH写使能高到芯片使能高 0 0 NS 呃EHWH芯片使能高写入使能高 0 0 NS t WHWL WPH写使能高写入使能低 10 20 NS E EEL芯片使能高电平至芯片使能低电平 10 20 NS WHGL写使能高到输出使能低 6 6微秒 E EGL芯片使能高电平输出使能低电平 6 6微秒 t AVQV ACC Addess对数据输出有效 70 90 NS ELQX (1) t LZ芯片启用低到输出转换 0 0 NS ELQV t CE芯片启用低到输出有效 70 90 NS t GLQX (1) t OLZ输出使能低到输出转换 0 0 NS t GLQV 这
m28f201-90xn3tr关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*m28f201-90xn3tr中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

共10页,到第
河南泳坛夺金近500期
大庄家彩票登录网站 体彩试机号今日金码 内蒙古11选5开将结果 青海十一选五遗漏号码 笨重超脱代表什么肖 浙江快乐彩12开奖结果 3d组三多少钱一注 310v大赢家足球比分 福建36选七走势图 澳门十大电子游戏网站AG 1天挣1千 时时彩五星分布图技巧 新华爱彩网 腾讯彩票杀号 排列3和值走势图连线